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微波介質陶瓷
陶瓷基板
● 三氧化二鋁(AL2O3)基板
● 氮化鋁(ALN)基板
● 氧化鈹(BeO)基板
● 微波陶瓷基板
● 單層電容基板
● 石英玻璃基板
● 復合介質基板
介質諧振器
微波鐵氧體基板
微波、毫米波原件
微波、毫米波器件
金錫合金預成型焊片
陶瓷墊片、短路片
新產品

 

 

 

 

--單層電容基板    
 
--材料特性
  代碼 介電常數 介質損耗 溫度系數 工作電壓 絕緣電阻
 
I-200
20
<0.002 %
0 ± 5 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>1,000 GΩ
 
I-340
34
<0.003 %
5 ± 5 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>1,000 GΩ
 
I-450
45
<0.005 %
5 ± 5 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>1,000 GΩ
 
I-900
90
<0.015 %
5 ± 5 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>1,000 GΩ
 
I-141
140
<0.050 %
30±10 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>1,000 GΩ
 
I-221
220
<0.30 %
-2,200± 500 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
I-301
300
<0.30 %
-1,200± 120 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
I-351
350
<0.30 %
-1,200±1,200 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
I-601
600
<0.50 %
-2,200± 500 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
I-901
900
<0.50 %
-33,00 ± 500 PPM/℃ @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
II-202
2,000
<2.50 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
II-302
3,000
<2.50 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
II-422
4,200
<2.50 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
100 V
>100 GΩ
 
II-852
8,500
<4.0 %
+22% ~ -56% @ -30 ~ +85℃
100 V
>100 GΩ
 
II-123
12,000
<4.0 %
+22% ~ -56% @ -30 ~ +85℃
100 V
>100 GΩ
 
III-253
25,000
<2.0 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
25 or 50 V
>10 GΩ
 
III-333
32,500
<2.5 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
25 or 50 V
>1 GΩ
 
III-403
40,000
<2.5 %
± 15% @ -55 ~ +125℃
16 or 25 V
>1 GΩ
--物理參數
  代碼 -標準厚度 -(mm) 標準長寬尺寸(mm) 厚度公差 應用領域
  I-200 ~ III-403 0.152

38.1*38.1

±10.0%

微波通訊

光纖通訊

0.178
0.203
0.254
 
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